罗浩平  高级工程师。男，1944年10月出生，浙江台州人。中共党员。1967年毕业于浙江大学。1970－1985年在电子部24所工作；1985年至今在电子24所无锡分所工作。主要业绩：长期从事微电子技术的研究，主要研究硅模拟集成电路、砷化镓单片集成电路、硅／锗硅异质结器件以及微电子管理及电子科技情报等软科学研究。曾负责研制我国第一块砷化镓单片集成电路，于1981年设计定型，获四机部优秀科技成果一等奖；砷化镓逻辑门的单片集成技术庆部科技成果奖；参与研制的我国第一块连续可变斜单增量调制解调器获电子部科技成果一等奖。参与研制我国第一个具有高频性能的GestHBT新器件。曾主编了《1至1．5微米超大规模集成电路专集》；参编《世界电子工业概览》、《电子工业生产技术手册》等，获部叫技进步二等奖；发表论文有《半导体存储器的技术与发展》、《微电子产业与微细加工》、《ASIC发展研究》、《砷化镓单片集成工艺技术研究》、《开创第二代硅新技术的硅镓硅异质器件》等20余篇，获各级优秀论文奖。发展方向：微电子技术与管理研究。